告别各自a2)在[C4mim]Cl/NH4HF2中蚀刻膨胀MXene粉体的SEM图像。

本文采用与产业兼容性高的真空溅射结合硒化热处理生长出高质量光吸收层Sb2Se3薄膜，散沙构建出Mo/Sb2Se3/CdS/ITO/Ag平面异质结薄膜太阳电池，散沙对Sb2Se3/CdS异质结进行快速热处理，实现元素有益扩散，材料掺杂浓度明显提高、优化Spike-like能带匹配、有效钝化界面缺陷、抑制非辐射复合，最终Sb2Se3薄膜太阳电池开路电压突破500mV至520mV且光电转化效率提升至8.64%。文章链接：为营https://doi.org/10.1002/adfm.202213941采用真空气相传输沉积（VTD）结合硒化热处理制备Sb2Se3薄膜并构建底衬Sb2Se3薄膜太阳电池，为营深入探讨Sb2Se3深能级缺陷形成机制并进行有效钝化，获得目前最低的开路电压亏损值为647mV且光电转换效率达到7.4%。

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